超高真空高温炉

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物理气相沉积炉

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产品概述:

该设备吸收德国某公司技术开发,采用中频感应加热方式,在真空条件下通过物理气相传输法生长优质光学晶体,能够生长碳化硅等第三代半导体材料,可根据客户实际需求定制。

详细信息
产 品 说 明

该设备吸收德国某公司技术开发,采用中频感应加热方式,在真空条件下通过物理气相传输法生长优质光学晶体,能够生长碳化硅等第三代半导体材料,可根据客户实际需求定制。

本系统采用单室立式双层水冷不锈钢结构。由炉膛、真空获得系统、真空测量系统、籽晶杆提拉旋转机构、坩埚杆拉送系统、感应加热系统、电控系统等组成,其技术指标如下:

炉体

主炉膛

尺寸Φ610×850 mm

提拉机构

转速

0~30rpm

提拉速度连续可调范围

0.06~6㎜/h

快提拉速度连续升降可调

≥40㎜/min

有效行程

410㎜

真空

主泵

分子泵

前级泵

油封泵(可选配干泵)

阀门

SUS304波纹管轴封高阀

极限真空

6.6×10-5Pa

系统漏率

停泵关机12小时后真空度≤10Pa

坩埚传动机构

转速

0~30rpm变频可调

升速范围

0.03~6㎜/h可调

快提拉速度连续升降可调

≥40㎜/min

有效行程

560㎜

额定总功率

根据客户需求确定中频电源,推荐使用50KW

占地面积

主机+控制柜+中频电源

2200×2500mm2

特别说明:对于采购国外一流设备进行晶体生长且生长工艺娴熟的研发人员,我司愿与其联合研发共同制造,按照生长工艺定制生产设备。